СОДЕРЖАНИЕ
Лучшее на сайте
Реклама
Диплом выпускника детского сада, ленты шелковые "Выпускник 2017" - продажа оптом в Украине, Канцтовары оптом
Главная » Статьи » Интересное, полезное, смешное

Исследование микроэлектроники, известные научные статьи

Рабочий режим триода

Рабочий режим триода определяется значениями трех напряжений: напряжения накала Uf, сеточного Ug и анодного 17а. Параметры триода зависят от величины этих напряжений, и для выбора лампы, эффективно работающей в заданной схеме, нужно знать характер этой зависимости. Во время работы лампы напряжение накала остается обычно постоянным и равным номинальному для нее значению, при котором катод накален по всей поверхности, так что влиянием охлаждающих выводов можно пренебречь.

При этом действующая поверхность анода приблизительно равна его геометрической поверхности, а крутизна характеристики имеет максимальное значение. Коэффициент усиления вообще практически не зависит от напряжения накала. Следовательно, такой режим работы и является оптимальным с точки зрения выбора напряжения накала.

Работать при перекале катода не следует, так как это ведет к значительному сокращению срока службы лампы. Особенно важными являются зависимости параметров триода от напряжения сетки. Как мы увидим дальше, выбором сеточного напряжения определяется класс работы триода в усилительной или генераторной схеме. Как видно из кривых, коэффициент усиления почти не зависит от сеточного напряжения, оставаясь все время постоянным, и несколько уменьшается лишь при больших отрицательных напряжениях Ug и при переходе к режиму насыщения.

В частном случае это сопротивление может быть чисто омическим (Za Ra). Следовательно, в рабочем режиме триода изменения анодного тока зависят от совместного действия переменных потенциалов анода и сетки. При этом рабочие характеристики и параметры лампы, включенной в цепь, отличаются от статических характеристик и параметров лампы, определяемых при условии ?д 0, так как они характеризуют уже не одну лампу, а всю электрическую цепь, в которую эта лампа включена, и зависят от рода и величины всех электрических элементов этой цепи омических сопротивлений, емкостей и самоиндукций.

Режим, при котором UB постоянно, а анодное напряжение изменяется при работе лампы с нагрузкой в анодной цепи, является рабочим режимом, часто неточно называемым динамическим режимом. Рабочая (динамическая) анодно-сеточная характеристика 1а = ( ), снятая при чисто омической нагрузке в анодной цепи, имеет вид, подобный статической характеристике, но она всегда идет более полого, т. е. крутизна ее меньше.

Это происходит потому, что при увеличении потенциала сетки Ug анодный ток увеличивается и одновременно увеличивается падение напряжения в нагрузке, что вызывает уменьшение анодного напряжения и соответствующее этому уменьшение анодного тока. Крутизна рабочей характеристики при этом получится тем меньшей, чем большее сопротивление включено в анодную цепь. Разные точки рабочей характеристики. Ia f(U) соответствуют значениям анодного тока при различных анодных напряжениях, поэтому такую характеристику можно представить в семействе статических анодно-сеточных характеристик, как результат перехода рабочей точки с одной кривой этого семейства на другие, причем при увеличении анодного тока рабочая точка перемещается вправо и вверх, переходя на характеристики с меньшим анодным напряжением. Если в анодную цепь включена комплексная нагрузка Za, имеющая активную Ra и реактивную Ха составляющие, то ход сеточной характеристики д= (£ д) оказывается более сложным.
Дальше...

Оценка возможности расчета потенциала

При ознакомлении с литературой обнаруживаются четыре различных подхода к данному вопросу, которые и будут рассмотрены ниже. Не только до работ Фейвразера, Мастина, Бриггса, Булла, Гартнера и Мартина, поставивших данный вопрос, но и в более позднее время встречаются работы, в которых игнорируется необходимость учета поверхностной проводимости при определении £.

Все же полученная в подобных работах информация может быть достоверна, если поверхностная проводимость незначительна по крайней мере вблизи изоэлектрической точки. Следует, однако, иметь в виду, что поверхностная проводимость может быть связана не только с диффузной частью ДС, так что критерий малости t, становится неопределенным.

В работах параллельно с £ измерялась поверхностная проводимость и выполнялось условие что свидетельствует о возможности применения формулы Смолуховского. Вийга провел электрокинетическое исследование капилляров из стекла пирекс и диафрагм из порошка стекла "иена". На основании этого они заключили, что при осложняющем влиянии поверхностной проводимости невозможно достаточно точно рассчитать £ по данным электрокинетических измерений на пористых диафрагмах. Этот же вывод обоснован в работе.

Такая точка зрения разделяется многими исследователями и в настоящее время. Некоторые авторы используют формулу для расчета £, не обосновывая возможности ее применения. Значительно ближе к реальности конический переход между различными сечениями. В результате оказалось, что для такой модели отношение Јsm близко к единице. Сопоставляя результаты рассмотрения модельных систем Овербека Вийги и Фридрихсберга, можно заключить, что в зависимости от геометрии порового пространства формула может быть как близка к истине, так и далека от нее.

Об этом же свидетельствуют экспериментальные данные, поскольку результаты Фридрихсберга согласуются с формулой, а для данных Вийга такого соответствия не обнаружено. Метод расчета истинного значения £, по данным электрокинетических измерений на порошковых диафрагмах, предлагаемый Гхошем, разработан в результате обобщения экспериментальных данных о зависимости ЈSm от среднего радиуса гранул а.

Гхош показал, что формулу можно получить при определенных допущениях из формулы Овербека и Вийга для их модели, а формулу путем сравнения моделей идеального и "фиктивного" грунта. Хотя соответствие реальной системы этим моделям обосновать трудно и поэтому формулу нельзя считать строго обоснованной, все же существенно, что формула применима не только в простейшем случае прямого единичного капилляра, но и в системах более сложных и более близких к реальным диафрагмам.

Аналогичное исследование на четырех фракциях кварца, стеклах иена и пирекс проведено Гхошем и сотрудниками. Однако возможно при этом, что £ постоянно только для достаточно крупной фракции, а для мелких фракций не исключена зависимость Z, от а. Если считать, что зависимость Јsm (а), выраженная формулой, уже установлена па достаточно широком классе различных порошков, то такая универсальная зависимость указывает на независимость g от а.
Расчёт потенциала

Квантовые парамагнитные усилители

Работа квантовых парамагнитных усилителей (КПУ) основа на усилении слабых СВЧ-сигналов вынужденным излучением вызванным электронными переходами между энергетическим л уровнями парамагнитных ионов в диэлектриках, расщепленными внешними или внутренними полями. Как правило, используются квантовые переходы между зеемановскими подуровнями пара магнитных ионов в кристаллах во внешнем магнитном поле.

Напомним, что под действием внешнего магнитного полы происходит квантование магнитного момента атома, в результате чего каждый из уровней с определенным квантовым числом расщепляется на подуровней с разными значениями проекции на направление поля: магнитное поле расщепляет вырожденные по квантовому числу М, уровни.

В отличие от изолированных атомов в кристаллах типа и т. п. орбитальные и спиновые моменты отдельных атомов связаны и взаимно компенсируют друг друга, вследствие чего такие кристаллы являются диамагнетиками. Если в эти кристаллы ввести ионы с незаполненными внутренними оболочками (элементы группы железа: Решили редкоземельные элементы - лантаноиды), то появятся некомпенсированные магнитные моменты (некомпенсированные спины) и кристаллы становятся парамагнетиками.

Именно такие кристаллы используются в качестве активных элементов КПУ. Рабочие переходы осуществляются между зеемановскими подуровнями парамагнитного иона-активатора. Кристаллическая основа, выполняя роль матрицы, со своей стороны влияет как на энергетический спектр иона-активатора, так и на процессы обмена энергией (релаксационные процессы).

Это естественно, поскольку активный ион находится под воздействием сильного внутрикристаллического поля. Это воздействие тем больше, чем слабее экранированы внешними электронами внутренние незаполненные оболочки, внутри которых собственно и происходят рабочие переходы. Накачка, обеспечивающая инверсную населенность между рабочими уровнями КПУ, осуществляется вспомогательным СВЧ-излучением.

Поэтому по двухуровневой схеме, как это было в случае пучковых мазеров, прибор работать не может. Как правило, работа происходит по трехуровневой схеме первого или второго типов. В качестве примера активного диэлектрика КПУ рассмотрим рубин, представляющий собой кристалл окиси алюминия, в котором часть атомов алюминия изоморфно замещена атомами хрома. Чистые бесцветные кристаллы, называемые а-корундом и иногда не совсем точно сапфиром, обладают кубической симметрией.

Каждый ион алюминия находится в окружении шести ионов кислорода, образующих октаэдр. Окружение иона кислорода составляют четыре иона алюминия, которые образуют тетраэдр. Корунд - бесцветный кристалл, прозрачный в оптической области от 0,17 до 6,5 мкм и в СВЧ-диапазоне. Без легирующих примесей он обладает диамагнитными свойствами. Радиус иона хрома (0,065 нм) больше радиуса иона алюминия (0,057 нм).
Квантовые парамагнитные усилители
Категория: Интересное, полезное, смешное | Добавил: Maccar (28.03.2011)
Просмотров: 1340 | Рейтинг: 0.0/0
Всего комментариев: 0
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
[ Регистрация | Вход ]
Скажите всем
Ваш любимый праздник?
Всего ответов: 190
Ваши мысли )))
Сюда Вы можете
складывать
Ваши пожелания ,
отзывы, предложения!
Все будет прочитано
оценено и учтено!